Review (0)
      • Политика за сигурностПолитика за сигурност(редактирайте с модула за увереност на клиента)
      • Политика за доставкаПолитика за доставка(редактирайте с модула за увереност на клиента)
      • Политика за връщанеПолитика за връщане(редактирайте с модула за увереност на клиента)
      SAMSUNG
      MZ-V7S2T0BW

      Data sheet

      ФОРМАТ
      M.2 22x80mm
      КАПАЦИТЕТ
      2048 GB
      ИНТЕРФЕЙС
      NVMe PCIe® Gen3
      READ SPEED (Up to)
      3500 MB/s
      WRITE SPEED (Up to)
      3300 MB/s
      IOPS RANDOM WRITE
      560 K
      IOPS RANDOM READ
      620 K
      ЦВЯТ
      Черен
      ДОПЪЛНИТЕЛНИ
      AES 256-bit Encryption
      Auto Garbage Collection
      S.M.A.R.T.
      TRIM Support
      Технология на паметта
      NAND Flash
      Максимална температура при работа
      70 °C
      Минимална температура при работа
      0 °C
      Максимална консумирана енергия
      3.3 W
      Средно време между повреди
      1500000 ч.
      Разположение на устройството
      Вътрешен
      Ударо устойчивост при работа
      1500G @ 0.5ms
      Минимална консумирана енергия
      30 mW
      Технология на флаш памет
      Multi-Level Cell
      SSD Controller
      Samsung Phoenix
      Total Bytes Written (TBW)
      1200
      M.2 Interface Quantity
      1
      Ширина
      22.15 мм
      Дълбочина
      80.15 мм
      Височина
      2.38 мм
      Гаранция в месеци
      60

      Specific References

      No customer reviews for the moment.

      Write your review