WDS100T3X0G-00CHY0
Data sheet
- ФОРМАТ
- M.2 22x30mm
- КАПАЦИТЕТ
- 1024 GB
- ИНТЕРФЕЙС
- NVMe PCIe® Gen4
- READ SPEED (Up to)
- 5150 MB/s
- WRITE SPEED (Up to)
- 4900 MB/s
- IOPS RANDOM WRITE
- 800 K
- IOPS RANDOM READ
- 740 K
- Технология на паметта
- NAND Flash
- Включени аксесоари
- Ръководство за употреба
- Максимална температура при работа
- 85 °C
- Минимална температура при работа
- 0 °C
- Максимална температура в изключен режим
- 85 °C
- Минимална температура при работа в изключен режим
- -40 °C
- Технология на флаш памет
- Triple-Level Cell
- Total Bytes Written (TBW)
- 600 TB
- БАРКОД EAN-13
- 718037902951
- Гаранция в месеци
- 60